Tecnologia
Acessórios que podem ter tamanho de cartão de crédito suportam mais potência e esquentam menos
FOTO: Reprodução/Belkin
Os carregadores GaN prometem ser a nova esperança da indústria de celulares. De acordo com relatório do portal Digitimes, a tecnologia deve se difundir neste ano de 2021, tido como o ano das fontes de 100 Watts. Com isso, aumenta-se a tendência do uso de nitreto de gálio (GaN) para proporcionar adaptadores de tomada consideravelmente mais potentes e que não geram tanto calor. Os carregadores GaN também tendem a ser menores que os existentes atualmente por não exigirem tantos componentes e ainda são capazes de conduzir tensões muito mais altas.
O GaN é um material semicondutor que ganhou popularidade a partir dos anos 1990, tendo sido utilizado para a fabricação de LEDs. O material está presente também em aparelhos Blu-Ray para produzir luz azul que lê os dados do DVD e em matrizes de células solares em satélites. Em breve, o material deve passar a substituir o silício em diversas áreas. Em transístores, o silício tem sido o material mais utilizado desde a década de 80 por ser mais eficiente na condução de eletricidade que os materiais usados anteriormente e por um custo menor.
O GaN aparece então como uma alternativa para transistores. As correntes elétricas passam por componentes feitos de nitreto de gálio mais rápido do que nos de silício, o que permite um processamento mais veloz, eficiente e gerando menos calor. Isso acontece porque estes dispositivos, além de mais eficientes na transferência de corrente, também perdem menos energia para o calor, o que significa que mais energia é transmitida para os aparelhos sendo carregados. Ou seja, quanto mais eficiente os componentes são para transmissão de energia, será necessário uma menor quantidade destas peças.
De acordo com a Efficient Power Conversion Corporation, uma fabricante de GaN, o material é capaz de conduzir elétrons 1.000 vezes mais eficientemente que o silício e com custos de fabricação mais baixos, uma vez que depende de menos componentes. Atualmente, os carregadores GaN custam mais que os tradicionais de silício, mas esta realidade pode mudar com a popularização, uma vez que o custo de produção é menor e deve diminuir ainda mais com o início da produção em larga escala.
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